采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA70N120G2V-4
工作温度：-55℃~200℃
功率：547W
阈值电压：4.9V@1mA
栅极电荷：150nC@18V
包装方式：散装
输入电容：3540pF@800V
连续漏极电流：91A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@50A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：4psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM300C12P3E201
工作温度：-40℃~150℃
功率：1360W
阈值电压：5.6V@80mA
包装方式：散装
输入电容：15000pF@10V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC017SMA120B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：2.7V@4.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：249nC@20V
包装方式：散装
输入电容：5280pF@1000V
连续漏极电流：113A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：CREE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M0080120D
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：散装
输入电容：950pF@1000V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC017SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：2.7V@4.5mA
栅极电荷：249nC@20V
包装方式：散装
输入电容：5280pF@1000V
连续漏极电流：113A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA40N120G2V-4
工作温度：-55℃~200℃
功率：277W
阈值电压：4.9V@1mA
栅极电荷：61nC@18V
包装方式：散装
输入电容：1233pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：100Ω@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA40N120G2V-4
工作温度：-55℃~200℃
功率：277W
阈值电压：4.9V@1mA
栅极电荷：61nC@18V
包装方式：散装
输入电容：1233pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：100Ω@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA40N120G2V-4
工作温度：-55℃~200℃
功率：277W
阈值电压：4.9V@1mA
栅极电荷：61nC@18V
包装方式：散装
输入电容：1233pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：100Ω@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：CREE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M0080120D
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：散装
输入电容：950pF@1000V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：CREE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M0080120D
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：散装
输入电容：950pF@1000V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC017SMA120J
工作温度：-55℃~175℃
功率：278W
阈值电压：2.7V@4.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：249nC@20V
包装方式：散装
输入电容：5280pF@1000V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：4psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM300C12P3E201
工作温度：-40℃~150℃
功率：1360W
阈值电压：5.6V@80mA
包装方式：散装
输入电容：15000pF@10V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：600psc
规格型号(MPN)：SCTWA70N120G2V-4
连续漏极电流：91A
导通电阻：30mΩ@50A，18V
工作温度：-55℃~200℃
类型：N沟道
漏源电压：1200V
功率：547W
阈值电压：4.9V@1mA
输入电容：3540pF@800V
栅极电荷：150nC@18V
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA70N120G2V-4
工作温度：-55℃~200℃
功率：547W
阈值电压：4.9V@1mA
栅极电荷：150nC@18V
包装方式：散装
输入电容：3540pF@800V
连续漏极电流：91A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@50A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC017SMA120B4
栅极电荷：249nC@20V
类型：N沟道
连续漏极电流：113A
漏源电压：1200V
输入电容：5280pF@1000V
阈值电压：2.7V@4.5mA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：22mΩ@40A，20V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
功率：455W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA70N120G2V-4
工作温度：-55℃~200℃
功率：547W
阈值电压：4.9V@1mA
栅极电荷：150nC@18V
包装方式：散装
输入电容：3540pF@800V
连续漏极电流：91A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@50A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA70N120G2V-4
工作温度：-55℃~200℃
功率：547W
阈值电压：4.9V@1mA
栅极电荷：150nC@18V
包装方式：散装
输入电容：3540pF@800V
连续漏极电流：91A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@50A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA70N120G2V-4
工作温度：-55℃~200℃
功率：547W
阈值电压：4.9V@1mA
栅极电荷：150nC@18V
包装方式：散装
输入电容：3540pF@800V
连续漏极电流：91A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@50A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA70N120G2V-4
工作温度：-55℃~200℃
功率：547W
阈值电压：4.9V@1mA
栅极电荷：150nC@18V
包装方式：散装
输入电容：3540pF@800V
连续漏极电流：91A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@50A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC017SMA120J
工作温度：-55℃~175℃
功率：278W
阈值电压：2.7V@4.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：249nC@20V
包装方式：散装
输入电容：5280pF@1000V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：CREE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M0080120D
功率：192W
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：98mΩ@20A，20V
输入电容：950pF@1000V
类型：N沟道
阈值电压：4V@5mA
漏源电压：1200V
连续漏极电流：36A
栅极电荷：62nC@5V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
