采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANX
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：散装
输入电容：827pF@100V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8005ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：散装
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.08Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANX
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：散装
输入电容：827pF@100V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：散装
输入电容：827pF@100V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANX
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：散装
输入电容：827pF@100V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8005ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：散装
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.08Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
功率：69W
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：622pF@100V
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
栅极电荷：32nC@10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：R8002ANX
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
功率：35W
工作温度：150℃
栅极电荷：12.7nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
输入电容：210pF@25V
阈值电压：5V@1mA
漏源电压：800V
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8008ANX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.03Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8005ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：散装
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.08Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8005ANX
工作温度：150℃
连续漏极电流：5A
功率：40W
类型：N沟道
栅极电荷：21nC@10V
阈值电压：5V@1mA
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：485pF@25V
导通电阻：2.08Ω@2.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
功率：69W
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：622pF@100V
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
栅极电荷：32nC@10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8008ANX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.03Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
