采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：10958，"05+"：127926，"06+"：234436，"08+"：11，"10+"：504，"11+"：6007，"12+"：8548，"13+"：363，"15+"：117，"MI+"：462223}
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SB1559
集射极击穿电压(Vceo)：150V
集电极电流(Ic)：8A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
特征频率：65MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@6mA，6A
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：330psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：19A€93A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：10958，"05+"：127926，"06+"：234436，"08+"：11，"10+"：504，"11+"：6007，"12+"：8548，"13+"：363，"15+"：117，"MI+"：462223}
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：10958，"05+"：127926，"06+"：234436，"08+"：11，"10+"：504，"11+"：6007，"12+"：8548，"13+"：363，"15+"：117，"MI+"：462223}
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP147T
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：10A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：2mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：14+
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：314，"22+"：1124}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP147T
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：10A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：2mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A
ECCN：EAR99
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：314，"22+"：1124}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP147T
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：10A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：2mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A
ECCN：EAR99
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP147T
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：10A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：2mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP147T
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：10A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：2mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：14+
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：14+
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：14+
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：14+
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：14+
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SB1559
集射极击穿电压(Vceo)：150V
集电极电流(Ic)：8A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
特征频率：65MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@6mA，6A
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SB1559
集射极击穿电压(Vceo)：150V
集电极电流(Ic)：8A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
特征频率：65MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@6mA，6A
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：314，"22+"：1124}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP147T
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：10A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：2mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A
ECCN：EAR99
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP147T
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：10A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：2mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
