采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：60244}
包装规格(MPQ)：295psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ529L06-E
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：60244}
包装规格(MPQ)：295psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ529L06-E
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"3B+"：15000，"3C+"：5000，"3D+"：5000，"3F+"：20000，"3G+"：140000，"3H+"：100000，"3J+"：40000}
包装规格(MPQ)：524psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK03M8DNS-00#J5
功率：20W
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：2.59nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：27200}
包装规格(MPQ)：163psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT2172N-EL-E
功率：20W
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2.42nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"3B+"：15000，"3C+"：5000，"3D+"：5000，"3F+"：20000，"3G+"：140000，"3H+"：100000，"3J+"：40000}
包装规格(MPQ)：524psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK03M8DNS-00#J5
功率：20W
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：2.59nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：60244}
包装规格(MPQ)：295psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ529L06-E
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"3B+"：15000，"3C+"：5000，"3D+"：5000，"3F+"：20000，"3G+"：140000，"3H+"：100000，"3J+"：40000}
包装规格(MPQ)：524psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK03M8DNS-00#J5
功率：20W
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：2.59nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：60244}
包装规格(MPQ)：295psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ529L06-E
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：163psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT2172N-EL-E
功率：20W
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2.42nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：295psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ529L06-E
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：散装
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：60244}
包装规格(MPQ)：295psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ529L06-E
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：200psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4017(Q)
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：20W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：200psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4017(Q)
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：200psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4017(Q)
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：200psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4017(Q)
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：200psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4017(Q)
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：200psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4017(Q)
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
