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    功率: 625mW
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    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3306A 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3306A 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP3306A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@18V

    连续漏极电流:160mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MPSA29 起订1000个装
    onsemi 达林顿管 MPSA29 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPSA29

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):800mA

    功率:625mW

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    特征频率:125MHz

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3310A 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3310A 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP3310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:140mA

    类型:P沟道

    导通电阻:20Ω@150mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3310A 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3310A 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP3310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:140mA

    类型:P沟道

    导通电阻:20Ω@150mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MPSA29 起订500个装
    onsemi 达林顿管 MPSA29 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPSA29

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):800mA

    功率:625mW

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    特征频率:125MHz

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 KSP13BU 起订12个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):KSP13BU

    集射极击穿电压(Vceo):30V

    集电极电流(Ic):500mA

    功率:625mW

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    特征频率:125MHz

    工作温度:150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3310A 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3310A 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP3310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:140mA

    类型:P沟道

    导通电阻:20Ω@150mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 KSP13BU 起订500个装
    onsemi 达林顿管 KSP13BU 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):KSP13BU

    集射极击穿电压(Vceo):30V

    集电极电流(Ic):500mA

    功率:625mW

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    特征频率:125MHz

    工作温度:150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MPSA29 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPSA29

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):800mA

    功率:625mW

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    特征频率:125MHz

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi 达林顿管 MPSA29 起订100个装
    onsemi 达林顿管 MPSA29 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPSA29

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):800mA

    功率:625mW

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    特征频率:125MHz

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3306A 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3306A 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP3306A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@18V

    连续漏极电流:160mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3310A 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3310A 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP3310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:140mA

    类型:P沟道

    导通电阻:20Ω@150mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BS170P 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 BS170P 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BS270 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 BS270 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS270

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BS270 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 BS270 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS270

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LP 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LP 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN10LP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BS270 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 BS270 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS270

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MPSA29 起订500个装
    onsemi 达林顿管 MPSA29 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPSA29

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):800mA

    功率:625mW

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    特征频率:125MHz

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MPSA29 起订1000个装
    onsemi 达林顿管 MPSA29 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPSA29

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):800mA

    功率:625mW

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    特征频率:125MHz

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 KSP13BU 起订100个装
    onsemi 达林顿管 KSP13BU 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):KSP13BU

    集射极击穿电压(Vceo):30V

    集电极电流(Ic):500mA

    功率:625mW

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    特征频率:125MHz

    工作温度:150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3306A 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP3306A 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP3306A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@18V

    连续漏极电流:160mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BS270 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 BS270 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS270

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BS270 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 BS270 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS270

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LP 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LP 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN10LP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MPSA29 起订10000个装
    onsemi 达林顿管 MPSA29 起订10000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPSA29

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):800mA

    功率:625mW

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    特征频率:125MHz

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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