销售单位:个
漏源导通电阻:100Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:500mV@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:2mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:12Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:2V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:40mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:100Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:500mV@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:2mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MPSA29
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:12Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:625mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:2V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:40mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:100Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:500mV@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:2mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MPSA29
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:50Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:1V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:12Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:2V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:40mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MPSA29
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MPSA29
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:30Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:3V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:20mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:30Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:3V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:20mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS270
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS270
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS270
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MPSA29
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"21+":52823,"22+":75474,"23+":1997}
销售单位:个
漏源导通电阻:12Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:625mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:2V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:40mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MPSA29
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS270
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:50Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:1V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS270
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:50Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:1V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MPSA29
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:12Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:2V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:40mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:50Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:1V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存: