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    包装方式: 散装
    功率: 40W
    当前匹配商品:200+
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    ROHM Mosfet场效应管 R6011ENX 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6011ENX 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6011ENX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:390mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 ZDX050N50 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 ZDX050N50 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZDX050N50

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MJE703G 起订5000个装
    onsemi 达林顿管 MJE703G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"08+":872,"09+":1001,"11+":2373,"12+":500,"14+":2492,"18+":200}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MJE703G

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):100µA

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.8V@40mA,2A

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 BD681G 起订100个装
    onsemi 达林顿管 BD681G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BD681G

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 BD682G 起订100个装
    onsemi 达林顿管 BD682G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BD682G

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A

    包装方式:散装

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MJE703G 起订1000个装
    onsemi 达林顿管 MJE703G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"08+":872,"09+":1001,"11+":2373,"12+":500,"14+":2492,"18+":200}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MJE703G

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):100µA

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.8V@40mA,2A

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8010ANX 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8010ANX 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8010ANX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1750pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 2N6034G 起订500个装
    onsemi 达林顿管 2N6034G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"20+":10412,"23+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6034G

    集射极击穿电压(Vceo):40V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):100µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R5007ANX 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R5007ANX 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R5007ANX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@3.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 BD681G 起订1500个装
    onsemi 达林顿管 BD681G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BD681G

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 2N6038G 起订1000个装
    onsemi 达林顿管 2N6038G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"16+":500,"18+":2528,"19+":277}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6038G

    集射极击穿电压(Vceo):60V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):100µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R5007FNX 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R5007FNX 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R5007FNX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@3.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 BD681G 起订10个装
    onsemi 达林顿管 BD681G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BD681G

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 2N6034G 起订10个装
    onsemi 达林顿管 2N6034G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6034G

    集射极击穿电压(Vceo):40V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):100µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A

    包装方式:散装

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 2N6038G 起订5000个装
    onsemi 达林顿管 2N6038G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"21+":1000,"22+":8550}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6038G

    集射极击穿电压(Vceo):60V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):100µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 2N6038G 起订500个装
    onsemi 达林顿管 2N6038G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"16+":500,"18+":2528,"19+":277}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6038G

    集射极击穿电压(Vceo):60V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):100µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 BD680G 起订10个装
    onsemi 达林顿管 BD680G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):BD680G

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A

    包装方式:散装

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 BD681G 起订100个装
    onsemi 达林顿管 BD681G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BD681G

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 BD682G 起订10个装
    onsemi 达林顿管 BD682G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BD682G

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:55℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A

    包装方式:散装

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENX 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENX 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6024ENX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006ANX 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006ANX 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6006ANX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8005ANX 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8005ANX 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8005ANX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.08Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 BD679AS 起订2000个装
    onsemi 达林顿管 BD679AS 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):BD679AS

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.8V@40mA,2A

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENX 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENX 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6024ENX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006ANX 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006ANX 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6006ANX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 ZDX080N50 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 ZDX080N50 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZDX080N50

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1120pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 2N6035G 起订1000个装
    onsemi 达林顿管 2N6035G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":6000,"23+":13997}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6035G

    集射极击穿电压(Vceo):60V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):100µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi 达林顿管 2N6034G 起订1000个装
    onsemi 达林顿管 2N6034G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"06+":132,"13+":500,"14+":2040,"15+":1000,"19+":29,"9999":202}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6034G

    集射极击穿电压(Vceo):40V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):100µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 ZDX050N50 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 ZDX050N50 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZDX050N50

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 ZDX130N50 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 ZDX130N50 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZDX130N50

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2180pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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