采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"4L+"：3000}
包装规格(MPQ)：541psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0395DPA-00#J53
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：1.67nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SB1351
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：12A
功率：30W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：130MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，10A
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@10A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：10302}
包装规格(MPQ)：766psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：散装
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SB1351
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：12A
功率：30W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：130MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，10A
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@10A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SB1351
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：12A
功率：30W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：130MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，10A
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@10A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"4L+"：3000}
包装规格(MPQ)：541psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0395DPA-00#J53
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：1.67nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SB1351
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：12A
功率：30W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：130MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，10A
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@10A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1E+"：5000}
包装规格(MPQ)：325psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0366DPA-02#J0B
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：1.01nF@10V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：10302}
包装规格(MPQ)：766psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：散装
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：766psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8451
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：散装
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：9A€28A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SB1259
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：10A
功率：30W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：100MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@10mA，5A
ECCN：EAR99
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@5A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1E+"：5000}
包装规格(MPQ)：325psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0366DPA-02#J0B
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：1.01nF@10V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"4L+"：3000}
包装规格(MPQ)：541psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0395DPA-00#J53
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：1.67nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SB1351
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：12A
功率：30W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：130MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，10A
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@10A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1E+"：5000}
包装规格(MPQ)：325psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0366DPA-02#J0B
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：1.01nF@10V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1E+"：5000}
包装规格(MPQ)：325psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0366DPA-02#J0B
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：1.01nF@10V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
