采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：917psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6612A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：散装
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4310A
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA120N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1562pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：181psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8260L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：5245pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1350pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4424A
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.8V@1mA
包装方式：散装
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：5.5Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306A
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：500mV@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：散装
漏源饱和电流：2mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：12Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：2V@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：散装
漏源饱和电流：40mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG312P
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：散装
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
类型：2N-通道（双）
ECCN：EAR99
输入电容：5pF@10V
功率：500mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：1V@1nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：散装
漏源饱和电流：7mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD7N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：散装
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
类型：2N-通道（双）
ECCN：EAR99
输入电容：5pF@10V
功率：500mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：1V@1nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：散装
漏源饱和电流：7mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTK46N50L
工作温度：-55℃~150℃
功率：700W
阈值电压：6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@15V
包装方式：散装
输入电容：7000pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@500mA，20V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：925pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：散装
输入电容：75pF@18V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：86W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：CREE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M0080120D
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：散装
输入电容：950pF@1000V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC855N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：散装
输入电容：655pF@15V
连续漏极电流：6.1A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN0124A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@250mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310A
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：散装
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS107P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
包装方式：散装
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：30Ω@100mA，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD220PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：散装
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@480mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：500mV@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：散装
漏源饱和电流：2mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
