品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB20N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1640pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1162pF@100V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD420PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:散装
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:370mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@220mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1162pF@100V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB20N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1640pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD420PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:散装
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:370mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@220mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD420PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:散装
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:370mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@220mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD420PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:散装
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:370mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@220mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD420PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:散装
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:370mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@220mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1162pF@100V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB20N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1640pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1162pF@100V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1162pF@100V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB20N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1640pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD420PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:散装
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:370mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@220mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD420PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:散装
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:370mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@220mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N50E-GE3
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
栅极电荷:66nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:14.5A
导通电阻:280mΩ@7.5A,10V
输入电容:1162pF@100V
阈值电压:4V@250µA
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD420PBF
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:360pF@25V
导通电阻:3Ω@220mA,10V
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:1W
包装方式:散装
栅极电荷:24nC@10V
连续漏极电流:370mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD420PBF
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:360pF@25V
导通电阻:3Ω@220mA,10V
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:1W
包装方式:散装
栅极电荷:24nC@10V
连续漏极电流:370mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1162pF@100V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1162pF@100V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD420PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:散装
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:370mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@220mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: