品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":14460,"MI+":2500}
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGD3040G2-F085D
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:100Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:500mV@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:2mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:12Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:2V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:40mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"01+":709,"02+":1192,"03+":1563}
销售单位:个
规格型号(MPN):MMDF7N02ZR2
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:晶闸管
行业应用:其它
生产批次:{"02+":1532}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCR100-004
断态峰值电压(Vdrm):200V
通态峰值电压(Vtm):1.7V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):5mA
浪涌电流(Itsm):10A
工作温度:-40℃~110℃
通态RMS电流(It(rms)):800mA
门极触发电流(Igt):200µA
包装方式:散装
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1446-H
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:散装
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:晶闸管
行业应用:其它
生产批次:{"06+":5000,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MAC997B6G
断态峰值电压(Vdrm):400V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):10mA
浪涌电流(Itsm):8A
工作温度:-40℃~110℃
通态RMS电流(It(rms)):800mA
门极触发电流(Igt):3mA
包装方式:散装
门极触发电压(Vgt):2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:100Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:500mV@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:2mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":5500,"18+":9900}
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1445-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:晶闸管
行业应用:其它
生产批次:{"06+":2438,"07+":1016,"08+":24948,"09+":15000,"10+":65280,"11+":2429,"12+":7873,"13+":61300}
销售单位:个
规格型号(MPN):MAC97A6G
断态峰值电压(Vdrm):400V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):10mA
浪涌电流(Itsm):8A
工作温度:-40℃~110℃
通态RMS电流(It(rms)):600mA
门极触发电流(Igt):5mA
包装方式:散装
门极触发电压(Vgt):2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3415-TL-E
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"04+":81230,"05+":3000,"07+":189000}
销售单位:个
包装方式:散装
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:385mW
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"04+":6000,"05+":30000}
销售单位:个
包装方式:散装
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"98+":639,"MI+":464}
包装规格(MPQ):221psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MGW14N60ED
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4039,"21+":12687}
包装规格(MPQ):144psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP165N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:154W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":59743,"23+":1275}
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":16964,"22+":36000}
包装规格(MPQ):233psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS1D2N03DSD
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W€2.3W€42W
阈值电压:2.5V@320µA€3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:1410pF@15V€4860pF@15V
连续漏极电流:19A€70A€37A€164A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":18594}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3821-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4200pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4947}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4931NT1G-IRH1
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW€104W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:散装
输入电容:9821pF@15V
连续漏极电流:23A€246A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):MPSA29
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
生产批次:{"07+":17500}
销售单位:个
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:12Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:625mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:2V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:40mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:100Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:500mV@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:2mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"12+":522,"14+":2500,"15+":5000}
包装规格(MPQ):376psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGD8205ANT4G
ECCN:EAR99
包装方式:散装
栅极阈值电压(Vge(th)):1.9V@4.5V,20A
关断延迟时间:5μs
集电极截止电流(Ices):390V
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:晶闸管
行业应用:其它
销售单位:个
规格型号(MPN):NP3100SB1
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存: