采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ034N04LS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2V
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：3.4mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
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规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
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规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
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功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
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阈值电压：1.2V
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规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
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漏源电压：40V
栅极电荷：40nC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
连续漏极电流：35A
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类型：MOSFET
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功率：52W
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栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ034N04LS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2V
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：3.4mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2V
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：3.4mΩ
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2V
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：3.4mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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