销售单位：个

包装规格(MPQ)：250psc

规格型号(MPN)：GS61008P-MR

包装方式：Reel

栅极电荷：8nC

导通电阻：9.5mΩ

连续漏极电流：90A

阈值电压：1.7V

工作温度：-55℃~+150℃

ECCN：EAR99

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

生产批次：{"21+"：6574}

规格型号(MPN)：IAUA170N10S5N031AUMA1

栅极电荷：67nC

包装方式：Reel

导通电阻：3.1mΩ

阈值电压：3.8V

连续漏极电流：170A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：197W

ECCN：EAR99

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：2500psc

规格型号(MPN)：IPD19DP10NMATMA1

功率：83W

阈值电压：4V

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.7A

栅极电荷：36nC

工作温度：-55℃~+175℃

导通电阻：186mΩ

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：5000psc

规格型号(MPN)：BSC440N10NS3 G

包装方式：Reel

导通电阻：44mΩ

阈值电压：2.7V

工作温度：-55℃~+150℃

连续漏极电流：5.3A

栅极电荷：10.8nC

漏源电压：100V

类型：MOSFET

功率：29W

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

生产批次：{"21+"：8258，"23+"：643}

规格型号(MPN)：IAUA180N10S5N029AUMA1

包装方式：Reel

连续漏极电流：180A

阈值电压：3.8V

导通电阻：2.9mΩ

栅极电荷：81nC

工作温度：-55℃~+175℃

功率：221W

ECCN：EAR99

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：5000psc

规格型号(MPN)：IPG20N10S4L-22

连续漏极电流：20A

栅极电荷：27nC

包装方式：Reel

导通电阻：20mΩ€20mΩ

阈值电压：1.1V

功率：60W

工作温度：-55℃~+175℃

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD60N10S4L-12

功率：94W

包装方式：Reel

阈值电压：1.1V

导通电阻：9.8mΩ

连续漏极电流：60A

工作温度：-55℃~+175℃

栅极电荷：49nC

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC440N10NS3 G

包装方式：Reel

导通电阻：44mΩ

阈值电压：2.7V

工作温度：-55℃~+150℃

连续漏极电流：5.3A

栅极电荷：10.8nC

漏源电压：100V

类型：MOSFET

功率：29W

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：7000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB70N10S3L-12

栅极电荷：60nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：70A

阈值电压：1.7V

功率：125W

工作温度：-55℃~+175℃

导通电阻：12mΩ

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：5000psc

规格型号(MPN)：BSC252N10NSF G

包装方式：Reel

功率：78W

阈值电压：2V

工作温度：-55℃~+150℃

栅极电荷：17nC

漏源电压：100V

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：19.5mΩ

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：BSS123N H6327

包装方式：Reel

栅极电荷：600pC

导通电阻：2.4Ω

功率：500mW

阈值电压：1.4V

连续漏极电流：190mA

工作温度：-55℃~+150℃

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：BSS123N H6327

包装方式：Reel

栅极电荷：600pC

导通电阻：2.4Ω

功率：500mW

阈值电压：1.4V

连续漏极电流：190mA

工作温度：-55℃~+150℃

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：2500psc

规格型号(MPN)：IPD19DP10NMATMA1

功率：83W

阈值电压：4V

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.7A

栅极电荷：36nC

工作温度：-55℃~+175℃

导通电阻：186mΩ

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：2500psc

规格型号(MPN)：IPD90N10S4L-06

包装方式：Reel

阈值电压：1.1V

导通电阻：6.6mΩ

连续漏极电流：90A

功率：136W

栅极电荷：75nC

工作温度：-55℃~+175℃

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：24nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：24nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB042N10N3 G

工作温度：-55℃~175℃

功率：214W

阈值电压：3.5V@150µA

栅极电荷：117nC@10V

包装方式：Reel

输入电容：8410pF@50V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：4.2mΩ@50A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC252N10NSF G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：78W

阈值电压：2V

栅极电荷：17nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：19.5mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123N H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.4V

栅极电荷：600pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：190mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.4Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC040N10NS5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：139W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：58nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：100A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPG20N10S4L-22

工作温度：-55℃~+175℃

功率：60W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：27nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：20mΩ€20mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC440N10NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：29W

阈值电压：2.7V

栅极电荷：10.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5.3A

类型：MOSFET

导通电阻：44mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：24nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123N H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.4V

栅极电荷：600pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：190mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.4Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123N H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.4V

栅极电荷：600pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：190mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.4Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123N H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.4V

栅极电荷：600pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：190mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.4Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：24nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123N H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.4V

栅极电荷：600pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：190mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.4Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123N H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.4V

栅极电荷：600pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：190mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.4Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：8258，"23+"：643}

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUA180N10S5N029AUMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：221W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：81nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：180A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1