包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

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包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA22N60AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：4V

栅极电荷：48nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：180mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

阈值电压：2.5V

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

导通电阻：23mΩ

栅极电荷：8.9nC

漏源电压：60V

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

栅极电荷：13.3nC

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：2.4V

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

功率：33W

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

包装方式：Reel

阈值电压：1.1V

漏源电压：80V

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

栅极电荷：13.3nC

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：2.4V

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

功率：33W

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

阈值电压：2.5V

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

导通电阻：23mΩ

栅极电荷：8.9nC

漏源电压：60V

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

阈值电压：2.5V

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

导通电阻：23mΩ

栅极电荷：8.9nC

漏源电压：60V

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA22N60AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：4V

栅极电荷：48nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：180mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA22N60AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：4V

栅极电荷：48nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：180mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1