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    ECCN
    晶体管类型
    阈值电压
    4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 3V @ 250µA 5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA 4V@250μA 3.5V @ 3mA 2.5V @ 250µA 2.5V@250μA 1.95V@1mA 2.8V@250μA 4V @ 90µA 2.6V@1mA 1.8V@1mA 2V@1.04mA 2V@1.54mA 4V@1.7mA 2.4V@1mA 2.2V 2.2V@1mA 6V@10mA 4.8V@11.1mA 1.2V@250μA 4.5V@4mA 1.7V 800mV@1mA 4.8V@30.8mA 3V@250μA 400mV@1mA 1V@1mA 3.5V@1mA 3.5V@33μA 1.8V 4V 2V@10μA 2.1V@1mA 5.6V@13.3mA 4.75V@250μA 4V@1mA 5V@4mA 2.5V@1mA 1.2V@1mA 1.8V@250μA 2.8V@1mA 1V@250μA 2.3V@1mA 2.15V@1mA 3V@1mA 2V @ 85µA 3.5V@1.5mA 4.3V@5mA 1.45V 3.9V@1mA 1.2V@3.7μA 4.5V@1.7mA 750mV@1mA 1.2V @ 110µA 2V@1mA 1.3V@1mA 4.5V@1.2mA 1.5V@250mA 2V 5V@1mA 1.5V@1mA 5.25V@1mA 2.2V@250μA 1.1V@250μA 4.5V@1mA 680mV@1mA 2V@40μA 3V @ 1mA 4.3V@20mA 1.5V@250μA 2.6V@250μA 3.6V@1mA 5V@250μA 570mV@1mA 2.5V 6V @ 10mA 2.4V@250μA 1.6V@250μA 2V@250μA 3V@131μA 4.5V@140μA 3.5V@1.2mA 1.2V@30μA 2.4V@10mA 5.5V@1mA 2V@2mA 1.6V@1mA 2V@10mA 4.8V@8.89mA 1V@250A 1.2V@500μA 1.4V@1mA 4.4V@1mA 4.5V@630μA 5.7V@5mA 4V@2.8mA 2.5V@2mA 2.5V@1mA€3V@1mA 2V@5.55mA 4.5V@120μA 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1.9V@250µA€1.6V@250µA 3.9V@200µA 4V@370µA 3.3V@13µA 3.3V@41µA 3.5V@45µA 3V@420µA 1.9V@105µA 3.9V@50µA 3V@25µA 2V@93µA 3.5V@1.25mA 2.2V@12µA 3.8V@154µA 4.6V@60µA 5V@540µA 1.2V@1.5µA 3V@26µA 3.8V@120µA 2.5V@2.5mA 3.6V@111µA 3V@18µA 3.3V@147µA 4V@196µA 3.5V@190µA 4.1V@150µA 2V@140µA 3V@77µA 3.5V@900µA 4V@220µA 2.2V@17µA 2V@77µA 2V@85µA 2V@190µA 2V@35µA 3.4V@29µA 1V@11µA 2V@18µA 1.2V@1.6µA 2.2V@410µA 2.4V@250µA€2.3V@250µA 2V@19µA 4V@710µA 2.2V@98µA 3.6V@1.86mA 4V@320µA 3V@13µA 2.4V@72µA 4V@520µA 2.5V@13mA 4.9V@255µA 2.2V@58µA 2.5V@12.2mA 2.2V@27µA 4V@14µA 2.1V@35µA 750mV@1.6µA 3.5V@65µA 2.1V@90µA 2.3V@250µA€2.5V@250µA 1.4V@1.57mA 2V@8µA 1.05V@250µA 2.2V@110µA 3.5V@960µA 4V@25µA 4V@230µA 4.3V@25mA 4V@78µA 4.1V@250µA 4V@32µA 3.5V@270µA 4V@39µA 2V@3.7µA 4V@380µA 3.5V@300µA 4V@118µA 5.7V@1mA 4.2V@1mA 2.5V@130µA 2V@26µA 2.1V@250µA€1.6V@250µA 2.3V@28µA 1.7V@100µA 1.2V@40µA 3.1V@150µA 5.5V@80µA 4.1V@8µA 4V@254µA 2.2V@330µA 2.8V@747µA 4V@210µA 1.35V@2.5µA 2V@28µA 1.2V@25µA 4V@479µA 3.8V@63µA 3.5V@160µA 4.6V@221µA 1.1V@150µA 3.3V@109µA 3V@90µA 2V@1.6µA 2V@380µA 2V@6µA 4.5V@120µA 1.8V@56µA 4.5V@162µA 2.2V@44µA 950mV@3.7µA 4V@218µA 4V@43µA 3V@145µA
    栅极电荷
    19 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 48nC 45 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V 4.6nC@10V 42 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 17.3 nC @ 15 V 46 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 42nC@10V 5 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V 95 nC @ 10 V 104nC@10V 8.9nC@10V 4.2nC@4.5V 72nC@4.5V 1.15nC@5V 33nC@10V 5.9nC@10V 3.4nC@4.5V 80 nC @ 20 V 159nC@10V 26.7nC@10V 12nC 19.4nC@10V 5.5nC@10V 91nC@18V 2.18nC@10V 8.1nC@4.5V 14.5nC@10V 37 nC @ 10 V 6.7nC@4.5V 14.3nC@10V 17nC@5V 134nC@10V 47nC@8V 10.5nC@10V 3.8nC@4.5V 2.8nC@4.5V 26nC@10V 39nC@10V 10.7nC@10V 90nC@10V 15.8nC@4.5V 20nC@4.5V 17.7nC@10V 3nC@4.5V 92nC@10V 19.5nC@10V 18.8nC@10V 31nC@5V 15.3nC@10V 8nC@5V 8.6nC@10V 9.4nC@10V 12nC@10V 38nC@10V 10.5nC@5V 79nC@10V 11 nC @ 10 V 2.7nC@4.5V 24nC@5V 33.3nC@10V 9.5nC@5V 1.8nC@10V 13nC@10V 13nC@5V 291nC@10V 28.8nC@10V 150 nC @ 10 V 25.2nC@10V 315nC@10V 4.5nC@10V 22nC@10V 130nC@10V 16.1nC@10V 25.1nC@10V 8.1nC@5V 64nC 15.6nC@4.5V 17.1nC@10V 31nC@10V 39nC@5V 43.2nC@4.5V 85nC@4.5V 17nC 198nC@10V 48.3nC@8V 49.4nC@10V 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    特征频率
    集射极击穿电压(Vceo)
    集电集截止电流(Icbo)
    集电极截止电流(Ices)
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)
    连续漏极电流
    1.8A 200mA 179V 16A(Tc) 4.5A 1.6A(Ta) 14A(Ta),48A(Tc) 15A(Ta),73A(Tc) 700mA 30A(Tc) 2.7A(Ta) 6V 3A(Ta) 14A(Tc) 65V 4A(Ta) 45A 68V 55A(Tc) 25A 39A 3A 36A(Tc) 11.7A 41A 100V 17A 250mA 30A€18A 1.4A 71A€200A 6.5A€21A 150mA 550mA 1.34A€1.14A 10.5A 5.6A 105A 84V 12.1A 4.2A 65A 7.6A(Ta) 238mA 110A 2.5A 95A 120A 130mA 2.11A 5.5A 8A(Ta),37A(Tc) 27A 57A 22A(Tc) 900mA 420mA 11.4A 118A 800mA 3.75A 75A 260mA 26A 30A 310mA 24A 70A(Tc) 19A€40A 1.6A 37A 20A€50A 5.7A 8.1A 9.6A 97A 13.6V 38A 13A€64A 280A 31A€193A 340mA 300mA 6.1A 40A 7A€18.2A 98A 5.1A 192A 8.5A€18A 18.1A 1.1A 20.2A 50A€300A 4.4A 9A 44A 14.9A 25V 780mA 370A 870mA 2.2A 3.4A 6A€26A 78A 12.6A 86mA 2.1A 8A€22A 46.9A€10.8A 6.5A 7.5A€19.2A 4.9A 15A(Ta),29A(Tc) 287A 710mA 11.2A€73A 50A 11A€40A 3.1A€4.4A 480mA 8.5A 600mA 2.3A€3.1A 46A 510mA 760mA 12.5A€18A 370mA 7.2A€23.6A 3.5A 85mA 14A(Ta),42A(Tc) 47.1A€162A 6.3A 173A 8.8A(Ta),22A(Tc) 16A€65A 3.3A€3.6A 44A€124A 1.4A€1.5A 100A 11A€24A 590mA 2A 850mA 16.1A 28A 890mA 10.6A 48A 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    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:3.6万+
    商品信息
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    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E030AJTCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:240pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N04S4L02ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N04S4L02ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD100N04S4L02ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.2V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12800pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLP9H10S-850AVTY 起订1个装
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLP9H10S-850AVTY 起订1个装

    品牌:AMPLEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BLP9H10S-850AVTY

    功率:850W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4532AEY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4532AEY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4532AEY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:535pF@15V€528pF@15V

    连续漏极电流:7.3A€5.3A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1031pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LSDQ-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LSDQ-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3021LSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:767pF@10V

    连续漏极电流:8.5A€7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:21mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RW1C026ZPT2CR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RW1C026ZPT2CR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RW1C026ZPT2CR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB123N10N3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB123N10N3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB123N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:3.5V@46µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.3mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB110N15A 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB110N15A 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB110N15A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:234W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4510pF@75V

    连续漏极电流:92A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@92A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLC9G21LS-60AVY 起订1个装
    AMPLEON Mosfet场效应管 BLC9G21LS-60AVY 起订1个装

    品牌:AMPLEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BLC9G21LS-60AVY

    功率:65V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:65V

    类型:双,共源

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4103DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4103DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4103DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@15V

    连续漏极电流:14A€16A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G07BBGTL1 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G07BBGTL1 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G07BBGTL1

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ370UNEYL 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ370UNEYL 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ370UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:78pF@25V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:490mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2021UFDF-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2021UFDF-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2021UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2760pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN015-60BS,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN015-60BS,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN015-60BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:86W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC160N15NS5SCATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC160N15NS5SCATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC160N15NS5SCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.6V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1820pF@75V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@28A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSTATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSTATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC011N03LSTATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€115W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6300pF@15V

    连续漏极电流:39A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR9203PL1,LQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR9203PL1,LQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPHR9203PL1,LQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.1V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.2Ω@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB95R130PFD7ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB95R130PFD7ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB95R130PFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@1.25mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4170pF@400V

    连续漏极电流:36.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@25.1A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD26P3LLH6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD26P3LLH6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD26P3LLH6

    工作温度:175℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG 起订2165个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG 起订2165个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5468,"21+":66398}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTND31015NZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.3pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03LSGATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03LSGATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC120N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:12A€39A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 A2T18H455W23NR6 起订1个装
    NXP Mosfet场效应管 A2T18H455W23NR6 起订1个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":62,"19+":11,"20+":80}

    销售单位:

    规格型号(MPN):A2T18H455W23NR6

    功率:65V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:65V

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RZF030P01TL 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZF030P01TL 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZF030P01TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA52DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA52DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJA52DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:150nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7150pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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