品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV13XNEAR
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.3V@250µA
功率:610mW€8.3W
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
输入电容:931pF@10V
导通电阻:15mΩ@7.3A,8V
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:20V
栅极电荷:15nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290UCEAX
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
功率:280mW
阈值电压:1.3V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
连续漏极电流:725mA€500mA
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290UCEAX
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.3V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:725mA€500mA
类型:N和P沟道
输入电容:83pF@10V
功率:280mW
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
阈值电压:1.3V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
类型:N沟道
漏源电压:55V
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV30XPAR
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.3V@250µA
功率:610mW€8.3W
导通电阻:33mΩ@4.9A,8V
连续漏极电流:4.9A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:1039pF@10V
漏源电压:20V
栅极电荷:16nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV48XPA2R
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
阈值电压:1.3V@250µA
输入电容:679pF@10V
功率:610mW€8.3W
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
漏源电压:20V
导通电阻:49mΩ@4A,8V
栅极电荷:10nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB670UPE,315
栅极电荷:1.14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.3V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
功率:360mW€2.7W
连续漏极电流:680mA
类型:P沟道
漏源电压:20V
输入电容:87pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
阈值电压:1.3V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
类型:N沟道
漏源电压:55V
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV30XPAR
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.3V@250µA
功率:610mW€8.3W
导通电阻:33mΩ@4.9A,8V
连续漏极电流:4.9A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:1039pF@10V
漏源电压:20V
栅极电荷:16nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV48XPA2R
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
阈值电压:1.3V@250µA
输入电容:679pF@10V
功率:610mW€8.3W
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
漏源电压:20V
导通电阻:49mΩ@4A,8V
栅极电荷:10nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB670UPE,315
栅极电荷:1.14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.3V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
功率:360mW€2.7W
连续漏极电流:680mA
类型:P沟道
漏源电压:20V
输入电容:87pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK4D38-20PX
输入电容:1025pF@10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.3V@250µA
连续漏极电流:6A€18A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@6A,8V
漏源电压:20V
功率:2W€19W
栅极电荷:16nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
阈值电压:1.3V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
类型:N沟道
漏源电压:55V
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV48XPA2R
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€8.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:679pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:49mΩ@4A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28XPEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€8.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB670UPE,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290UCEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:725mA€500mA
类型:N和P沟道
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB670UPE,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290UCEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:725mA€500mA
类型:N和P沟道
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK4D38-20PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€19W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@10V
连续漏极电流:6A€18A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@6A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: