品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1
栅极电荷:39nC@10V
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:2800pF@12V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7855TRPBF
栅极电荷:39nC@10V
输入电容:1560pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4.9V@100µA
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
导通电阻:9.4mΩ@12A,10V
功率:2.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6N022ATMA1
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2.26mΩ@50A,10V
阈值电压:3V@32µA
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
输入电容:2421pF@25V
ECCN:EAR99
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1
栅极电荷:39nC@10V
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:2800pF@12V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":331,"22+":660,"23+":58552,"24+":2495}
规格型号(MPN):IPD35N10S3L26ATMA1
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
阈值电压:2.4V@39µA
类型:N沟道
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:35A
导通电阻:24mΩ@35A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":565,"21+":710,"22+":1907,"23+":4360,"MI+":4785}
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
阈值电压:2.4V@39µA
类型:N沟道
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:120V
连续漏极电流:35A
导通电阻:24mΩ@35A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R400CEAUMA1
栅极电荷:39nC@10V
功率:118W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:710pF@100V
类型:N沟道
漏源电压:650V
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:15.1A
导通电阻:400mΩ@3.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6N022ATMA1
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2.26mΩ@50A,10V
阈值电压:3V@32µA
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
输入电容:2421pF@25V
ECCN:EAR99
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R380E6ATMA1
功率:83W
栅极电荷:39nC@10V
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:710pF@100V
类型:N沟道
漏源电压:650V
连续漏极电流:10.6A
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
阈值电压:2.4V@39µA
类型:N沟道
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:120V
连续漏极电流:35A
导通电阻:24mΩ@35A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP650P06NMXTSA1
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:65mΩ@3.7A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€4.2W
漏源电压:60V
类型:P沟道
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:4V@1.037mA
输入电容:1600pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0702NLSATMA1
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2.3V@26µA
输入电容:2500pF@30V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€65W
连续漏极电流:17A€86A
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1
栅极电荷:39nC@10V
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:2800pF@12V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":3263,"13+":12860}
规格型号(MPN):IPB65R380C6ATMA1
功率:83W
栅极电荷:39nC@10V
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:710pF@100V
类型:N沟道
漏源电压:650V
连续漏极电流:10.6A
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":7500,"23+":2500}
规格型号(MPN):IPD65R400CEAUMA1
栅极电荷:39nC@10V
功率:118W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:710pF@100V
类型:N沟道
漏源电压:650V
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:15.1A
导通电阻:400mΩ@3.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7853TRPBF
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:8.3A
类型:N沟道
阈值电压:4.9V@100µA
导通电阻:18mΩ@8.3A,10V
功率:2.5W
输入电容:1640pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ018NE2LSATMA1
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:2.1W€69W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:23A€40A
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:2800pF@12V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP650P06NMXTSA1
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:65mΩ@3.7A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€4.2W
漏源电压:60V
类型:P沟道
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:4V@1.037mA
输入电容:1600pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0702NLSATMA1
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2.3V@26µA
输入电容:2500pF@30V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€65W
连续漏极电流:17A€86A
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
阈值电压:2.4V@39µA
类型:N沟道
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:120V
连续漏极电流:35A
导通电阻:24mΩ@35A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP650P06NMXTSA1
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:65mΩ@3.7A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€4.2W
漏源电压:60V
类型:P沟道
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:4V@1.037mA
输入电容:1600pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
阈值电压:2.4V@39µA
类型:N沟道
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:120V
连续漏极电流:35A
导通电阻:24mΩ@35A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
功率:83W
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:60V
连续漏极电流:22A
导通电阻:65mΩ@22A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
阈值电压:4V@1.04mA
输入电容:1600pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7853TRPBF
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:8.3A
类型:N沟道
阈值电压:4.9V@100µA
导通电阻:18mΩ@8.3A,10V
功率:2.5W
输入电容:1640pF@25V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7853TRPBF
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:8.3A
类型:N沟道
阈值电压:4.9V@100µA
导通电阻:18mΩ@8.3A,10V
功率:2.5W
输入电容:1640pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
阈值电压:2.4V@39µA
类型:N沟道
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:120V
连续漏极电流:35A
导通电阻:24mΩ@35A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R380E6ATMA1
功率:83W
栅极电荷:39nC@10V
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:710pF@100V
类型:N沟道
漏源电压:650V
连续漏极电流:10.6A
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R380E6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存: