品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K4P7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@700µA
输入电容:250pF@500V
栅极电荷:10nC@10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:32W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":18000}
规格型号(MPN):IPB147N03LGATMA1
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
输入电容:1000pF@15V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:10nC@10V
功率:31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:14.7mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120ZTRPBF
功率:35W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:10nC@10V
导通电阻:190mΩ@5.2A,10V
输入电容:310pF@25V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:8.7A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13.5mΩ@30A,10V
类型:N沟道
输入电容:1000pF@15V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:10nC@10V
功率:31W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K4P7ATMA1
功率:7W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
阈值电压:3.5V@70µA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:250pF@500V
栅极电荷:10nC@10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13.5mΩ@30A,10V
类型:N沟道
输入电容:1000pF@15V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:10nC@10V
功率:31W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ065N03LSATMA1
连续漏极电流:12A€40A
功率:2.1W€26W
输入电容:670pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ065N03LSATMA1
连续漏极电流:12A€40A
功率:2.1W€26W
输入电容:670pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN95R2K0P7ATMA1
功率:7W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
阈值电压:3.5V@80µA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:950V
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:330pF@400V
导通电阻:2Ω@1.7A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K4P7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@700µA
输入电容:250pF@500V
栅极电荷:10nC@10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:32W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD14N06S280ATMA2
连续漏极电流:17A
输入电容:293pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:80mΩ@7A,10V
类型:N沟道
功率:47W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:10nC@10V
阈值电压:4V@14µA
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ065N03LSATMA1
连续漏极电流:12A€40A
功率:2.1W€26W
输入电容:670pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN95R2K0P7ATMA1
功率:7W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
阈值电压:3.5V@80µA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:950V
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:330pF@400V
导通电阻:2Ω@1.7A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120ZTRPBF
功率:35W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:10nC@10V
导通电阻:190mΩ@5.2A,10V
输入电容:310pF@25V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:8.7A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD14N06S280ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:4V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:293pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@7A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ065N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@15V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:3.5V@700µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN95R2K0P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:7W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.7A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:7W
阈值电压:3.5V@70µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD14N06S280ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:4V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:293pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@7A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:7W
阈值电压:3.5V@70µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN95R2K0P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:7W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.7A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB147N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:14.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN95R2K0P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:7W
阈值电压:3.5V@80µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.7A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ065N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@15V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ065N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@15V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: