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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1132pF@20V
连续漏极电流：8A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS015N04B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8725pF@20V
连续漏极电流：31.3A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS015N04B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8725pF@20V
连续漏极电流：31.3A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS015N04B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8725pF@20V
连续漏极电流：31.3A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1132pF@20V
连续漏极电流：8A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1132pF@20V
连续漏极电流：8A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS015N04B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8725pF@20V
连续漏极电流：31.3A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT47M2SFVWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.67W€27.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：15.4A€49.1A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
