品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@20V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@85µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@20V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@20V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@20V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@20V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@85µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@20V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@20V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@20V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@20V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@20V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@85µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@20V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@85µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@20V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@20V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@20V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@85µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@20V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@20V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@20V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@20V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
功率:6.25W€100W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:7300pF@20V
类型:N沟道
连续漏极电流:54.8A€219A
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: