采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@20V
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4599，"23+"：2164}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8540L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7940pF@20V
连续漏极电流：33A€156A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：1.5mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
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输入电容：12400pF@20V
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
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输入电容：12400pF@20V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
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分类：Mosfet场效应管
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功率：12W
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导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
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规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
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功率：12W
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ECCN：EAR99
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输入电容：12400pF@20V
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@20V
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@20V
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8540L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7940pF@20V
连续漏极电流：33A€156A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：1.5mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8540L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7940pF@20V
连续漏极电流：33A€156A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：1.5mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
输入电容：12400pF@20V
功率：12W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：2.3V@250µA
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
输入电容：12400pF@20V
功率：12W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：2.3V@250µA
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.3V@250µA
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输入电容：12400pF@20V
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@20V
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@20V
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@20V
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
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类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
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输入电容：12400pF@20V
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
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包装规格(MPQ)：250psc
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工作温度：-55℃~150℃
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@20V
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8540L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：7940pF@20V
连续漏极电流：33A€156A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：1.5mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
输入电容：12400pF@20V
功率：12W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：2个N通道（半桥）
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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