采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685
功率：69W
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：27nC@5V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：8.4A€32A
输入电容：2380pF@20V
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS014P04M8LTAG
栅极电荷：26.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：13.8mΩ@15A，10V
连续漏极电流：11.3A€49A
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：1734pF@20V
类型：P沟道
功率：3.2W€61W
阈值电压：2.4V@420µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NWFAFT1G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：47nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
连续漏极电流：14A€52A
功率：3W€40W
输入电容：997pF@25V
类型：2N沟道（双）
阈值电压：2.2V@30µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：683}
规格型号(MPN)：NVBLS0D5N04CTXG
阈值电压：4V@475µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
连续漏极电流：65A€300A
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：185nC@10V
输入电容：12600pF@25V
功率：4.3W€198.4W
ECCN：EAR99
导通电阻：0.57mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"19+"：2900，"20+"：619，"22+"：1707，"23+"：2291}
规格型号(MPN)：NVMFSC0D9N04CL
功率：4.1W€166W
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50A€316A
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@50A，10V
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：6100pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8015L-L701
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.3W€24W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
输入电容：945pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
连续漏极电流：14A€52A
功率：3W€40W
输入电容：997pF@25V
类型：2N沟道（双）
阈值电压：2.2V@30µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C478NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：2N沟道（双）
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：3.5V@20µA
输入电容：325pF@25V
功率：3.1W€23W
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：9.8A€27A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：4028，"23+"：18000}
规格型号(MPN)：FDMC8321LDC
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：2.9W€56W
类型：N沟道
连续漏极电流：27A€108A
输入电容：3965pF@20V
导通电阻：2.5mΩ@27A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
连续漏极电流：11A
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB8447L
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：52 nC @ 10 V
漏源电压：40V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 14A，10V
输入电容：2620 pF @ 20 V
阈值电压：3V @ 250µA
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
输入电容：4300pF@25V
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：41A€235A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8015L
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.3W€24W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
输入电容：945pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C442NAFT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：29A€140A
漏源电压：40V
类型：N沟道
输入电容：2100pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：32nC@10V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
功率：3.7W€83W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS5D3N04CTWG
功率：3.6W€50W
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：3.5V@40µA
漏源电压：40V
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
类型：N沟道
输入电容：1000pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：16nC@10V
连续漏极电流：19A€71A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C446NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：25A€145A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3170pF@25V
导通电阻：2.65mΩ@20A，10V
功率：3.5W
阈值电压：2.2V@90µA
漏源电压：40V
类型：2N沟道（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N04CLTXG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
功率：2.5W€205W
输入电容：12238pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：0.63mΩ@50A，10V
栅极电荷：205nC@10V
连续漏极电流：67A€433A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"11+"：670，"16+"：38035，"17+"：15323}
包装规格(MPQ)：700psc
规格型号(MPN)：SFT1350-TL-H
包装方式：卷带（TR）
功率：1W€23W
工作温度：150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：19A
栅极电荷：12nC@10V
导通电阻：59mΩ@9.5A，10V
输入电容：590pF@20V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT1G
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：4300pF@20V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200A
漏源电压：40V
功率：3.8W€110W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
栅极电荷：49nC@10V
阈值电压：3V@250μA
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NLT4G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
输入电容：1100pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：2.2V@30µA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
功率：3W€30W
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：14A€45A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8647L
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.64nF@20V
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
连续漏极电流：14A€42A
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€43W
ECCN：EAR99
导通电阻：9mΩ@10V，13A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS5D3N04CTWG
功率：3.6W€50W
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：3.5V@40µA
漏源电压：40V
导通电阻：5.3mΩ@35A，10V
类型：N沟道
输入电容：1000pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：16nC@10V
连续漏极电流：19A€71A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLAFT1G
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：4300pF@20V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
连续漏极电流：38A€200A
功率：3.8W€110W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C423NLT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：150A
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
栅极电荷：50nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
输入电容：3100pF@20V
功率：3.7W€83W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C446NLT1G
连续漏极电流：25A€145A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：2N沟道（双）
功率：3.5W€125W
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：3170pF@25V
导通电阻：2.65mΩ@20A，10V
阈值电压：2.2V@90µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C470NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€24W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A€36A
输入电容：590pF@25V
导通电阻：11.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
类型：2N沟道（双）
阈值电压：2.2V@20µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS014P04M8LTAG
栅极电荷：26.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：13.8mΩ@15A，10V
连续漏极电流：11.3A€49A
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：1734pF@20V
类型：P沟道
功率：3.2W€61W
ECCN：EAR99
阈值电压：2.4V@420µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
