品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":8000}
规格型号(MPN):N0439N-S19-AY
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
功率:1.8W€147W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:102nC@10V
连续漏极电流:90A
工作温度:175℃
输入电容:5850pF@25V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P04SDG-E1-AY
栅极电荷:100nC@10V
功率:1.2W€84W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9.6mΩ@25A,10V
输入电容:5000pF@10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P04SDG-E1-AY
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
导通电阻:17mΩ@18A,10V
工作温度:175℃
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
功率:1.2W€56W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP20P04SLG-E1-AY
连续漏极电流:20A
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:1650pF@10V
导通电阻:25mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:1.2W€38W
工作温度:175℃
类型:P沟道
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50N04YUK-E1-AY
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:1W€97W
输入电容:3200pF@25V
工作温度:175℃
连续漏极电流:50A
栅极电荷:57nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NP100P04PLG-E1-AY
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.8W€200W
漏源电压:40V
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
工作温度:175℃
类型:P沟道
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
输入电容:15100pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP60N04VDK-E1-AY
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:1.2W€105W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:175℃
连续漏极电流:60A
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:3680pF@25V
导通电阻:3.85mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP35N04YLG-E1-AY
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:2850pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:175℃
功率:1W€77W
栅极电荷:51nC@10V
连续漏极电流:35A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP75N04VUK-E1-AY
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
漏源电压:40V
功率:1.2W€75W
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
工作温度:175℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:2400pF@25V
导通电阻:5.7mΩ@38A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":2500}
规格型号(MPN):NP75N04YUG-E1-AY
包装方式:卷带(TR)
功率:1W€138W
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
工作温度:175℃
导通电阻:4.8mΩ@37.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:6450pF@25V
栅极电荷:116nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50N04YUK-E1-AY
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:1W€97W
输入电容:3200pF@25V
工作温度:175℃
连续漏极电流:50A
栅极电荷:57nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP75N04YLG-E1-AY
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:138W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
工作温度:175℃
导通电阻:4.8mΩ@38A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:6450pF@25V
栅极电荷:116nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP30N04QUK-E1-AY
工作温度:175℃
包装方式:卷带(TR)
功率:1W€59W
漏源电压:40V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:8mΩ@15A,10V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:30A
输入电容:2400pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50N04YUK-E1-AY
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:1W€97W
输入电容:3200pF@25V
工作温度:175℃
连续漏极电流:50A
栅极电荷:57nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N04VUK-E1-AY
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:102nC@10V
连续漏极电流:90A
功率:1.2W€147W
工作温度:175℃
输入电容:5850pF@25V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:2.8mΩ@45A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N04VUG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€105W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7500pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):N0400P-ZK-E1-AY
工作温度:150℃
功率:1W€25W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP60N04VUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€105W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3680pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.85mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP109N04PUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10800pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.75mΩ@55A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP75N04YUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1W€138W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@38A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):N0439N-S19-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€147W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP74N04YUG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1W€120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@37.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP75N04VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@38A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP75N04VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@38A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP83P04PDG-E1-AY
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9820pF@10V
连续漏极电流:83A
类型:P沟道
导通电阻:5.3mΩ@41.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP109N04PUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10800pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.75mΩ@55A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP30N04QUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1W€59W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP35N04YLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1W€77W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N04VUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€147W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N04VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€147W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: