品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:14.2A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C604NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:287A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C673NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4340,"23+":7043}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD09P06PLGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@6.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT1G-UIL3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:40A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:14.2A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF3055L108T3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD5865NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€71W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A€46A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055L104T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€48W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS3D3N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€100W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:40.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:26A€133A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:16A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD3055L170T4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€28.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@4.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":576,"21+":4097,"22+":5247}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5810-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:7.4A€37A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:16A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":7179}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS1D6N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
连续漏极电流:38A€250A
类型:N沟道
导通电阻:1.36mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C670NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:16A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:16A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C604NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:52nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:287A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055L104T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€48W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C638NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€100W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:40.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:26A€133A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:16A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD5865NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€71W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A€46A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:14.2A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C612NLT1G-UIL5
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: