采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4062DY-T1-GE3
功率：7.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3175pF@30V
连续漏极电流：32.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4062DY-T1-GE3
功率：7.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3175pF@30V
连续漏极电流：32.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW€4.2W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@30V
连续漏极电流：720mA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@720mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
