品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3636TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3779pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3636TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3779pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3636TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3779pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84T116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:5.3Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84T116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:5.3Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AHZGT116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:5.3Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L180GNTB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@30V
连续漏极电流:18A€68A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3636TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3779pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3636TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3779pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AHZGT116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:5.3Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AHZGT116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:5.3Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L180GNTB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@30V
连续漏极电流:18A€68A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AHZGT116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:5.3Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84T116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:5.3Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84T116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:5.3Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3636TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3779pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84T116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:5.3Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AHZGT116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:5.3Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AHZGT116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:5.3Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3636TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3779pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84T116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:5.3Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AHZGT116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:5.3Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3636TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3779pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84T116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:5.3Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3636TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3779pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AHZGT116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:5.3Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AHZGT116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:5.3Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: