采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€30W
阈值电压：2.5V@200µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-60MSX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1368pF@30V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM220NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1454pF@30V
连续漏极电流：8A€35A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€57A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-60MSX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1368pF@30V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH11006NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€34W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€30W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€30W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM220NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1454pF@30V
连续漏极电流：8A€35A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€57A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-60MSX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1368pF@30V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3853，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€57A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€57A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-60MSX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1368pF@30V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€57A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH11006NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€34W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-60MSX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1368pF@30V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-60MSX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1368pF@30V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€57A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€57A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
