采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF9Z24STRR-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD08P06-155L-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€20.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9024TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9024TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9024TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD08P06-155L-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€20.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：8.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD08P06-155L-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€20.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：8.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD08P06-155L-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€20.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：8.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD08P06-155L-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€20.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：8.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9024TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD08P06-155L-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€20.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：8.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD08P06-155L-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€20.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：8.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD08P06-155L-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€20.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD08P06-155L-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€20.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：8.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
