采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ042N06NSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.8V@36μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2nF@30V
连续漏极电流：40A€17A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ042N06NSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.8V@36μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2nF@30V
连续漏极电流：40A€17A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4801}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ042N06NSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.8V@36μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2nF@30V
连续漏极电流：40A€17A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：5W
栅极电荷：27nC@10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：6.1A
阈值电压：3V@250μA
输入电容：1.31nF@30V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：5W
栅极电荷：27nC@10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：6.1A
阈值电压：3V@250μA
输入电容：1.31nF@30V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：5W
栅极电荷：27nC@10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：6.1A
阈值电压：3V@250μA
输入电容：1.31nF@30V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ042N06NSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.8V@36μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2nF@30V
连续漏极电流：40A€17A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：5W
栅极电荷：27nC@10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：6.1A
阈值电压：3V@250μA
输入电容：1.31nF@30V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：5W
栅极电荷：27nC@10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：6.1A
阈值电压：3V@250μA
输入电容：1.31nF@30V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：20}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ042N06NSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.8V@36μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2nF@30V
连续漏极电流：40A€17A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
