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    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 60V
    栅极电荷: 10nC@10V
    当前匹配商品:200+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD444

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€20W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@30V

    连续漏极电流:4A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L015SPTL 起订6000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L015SPTL 起订6000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L015SPTL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L015SPTL 起订22个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L015SPTL 起订22个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L015SPTL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订17个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订17个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3463_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3463_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3463_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A_L2_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A_L2_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订30个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订30个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD444

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€20W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@30V

    连续漏极电流:4A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L015SPTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L015SPTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L015SPTL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD444

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€20W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@30V

    连续漏极电流:4A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD444

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€20W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@30V

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    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订6000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订6000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD444

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€20W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@30V

    连续漏极电流:4A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订200个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A_L2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A_L2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

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    输入电容:785pF@30V

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    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A_L2_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A_L2_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD444

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€20W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@30V

    连续漏极电流:4A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

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    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

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    栅极电荷:10nC@10V

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    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订45000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订45000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3463_R1_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3463_R1_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3463_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

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    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":7708}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461-AU_S1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L015SPTL 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L015SPTL 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L015SPTL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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