品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:290mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G02P06
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:573pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:290mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:290mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:290mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G02P06
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:573pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:290mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:290mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:290mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:290mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:290mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: