采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4268
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4268
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C646NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2164pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C646NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2164pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4268
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4268
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C646NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2164pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C646NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2164pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C646NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2164pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4268
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4268
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€46W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C646NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2164pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4268
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C646NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2164pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4268
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4268
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4268
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4268
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C646NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2164pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4268
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
导通电阻：4.8mΩ@19A，10V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：2500pF@30V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
