采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO613SPVGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@25V
连续漏极电流：3.44A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.44A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO613SPVGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@25V
连续漏极电流：3.44A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.44A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO613SPVGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@25V
连续漏极电流：3.44A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.44A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：32300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO613SPVGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@25V
连续漏极电流：3.44A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.44A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO613SPVGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@25V
连续漏极电流：3.44A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.44A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO613SPVGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@25V
连续漏极电流：3.44A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.44A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO613SPVGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@25V
连续漏极电流：3.44A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.44A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：32300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO613SPVGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@25V
连续漏极电流：3.44A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.44A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO613SPVGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@25V
连续漏极电流：3.44A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.44A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO613SPVGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@25V
连续漏极电流：3.44A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.44A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO613SPVGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@25V
连续漏极电流：3.44A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.44A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN3PF06
工作温度：-65℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO613SPVGXUMA1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：130mΩ@3.44A，10V
连续漏极电流：3.44A
漏源电压：60V
输入电容：875pF@25V
类型：P沟道
功率：2.5W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
漏源电压：60V
连续漏极电流：3A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：150mΩ@3A，10V
类型：P沟道
功率：2.5W
栅极电荷：22nC@10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"24+"：32300}
规格型号(MPN)：NDS9407
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
漏源电压：60V
连续漏极电流：3A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：150mΩ@3A，10V
类型：P沟道
功率：2.5W
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
