采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD048N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2.2V@58µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB054N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@58µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB13AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10.9A€62A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB13AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10.9A€62A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB13AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10.9A€62A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000，"23+"：1413}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB054N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@58µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD048N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2.2V@58µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000，"23+"：1413}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB054N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@58µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：9.9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB13AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10.9A€62A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD048N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2.2V@58µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB054N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@58µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB054N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@58µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB13AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10.9A€62A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD048N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2.2V@58µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD048N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2.2V@58µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB13AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10.9A€62A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB054N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@58µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB054N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@58µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000，"23+"：1413}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB054N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@58µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：820，"20+"：716}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7580MTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：3.7V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6510pF@25V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB054N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@58µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
