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    当前匹配商品:3600+
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    UMW Mosfet场效应管 2N7002 起订157个装
    UMW Mosfet场效应管 2N7002 起订157个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002

    工作温度:150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002AT116 起订52个装
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002AT116 起订52个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RK7002AT116

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L020SPTCR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L020SPTCR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6L020SPTCR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:210mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN11006NL,LQ 起订4个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN11006NL,LQ 起订4个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN11006NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€30W

    阈值电压:2.5V@200µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.4mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K32HZGTB 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K32HZGTB 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8K32HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002BMT116 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002BMT116 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RK7002BMT116

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J351R,LF 起订11个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J351R,LF 起订11个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J351R,LF

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:134mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 BSS138WT106 起订25个装
    ROHM Mosfet场效应管 BSS138WT106 起订25个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138WT106

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@30V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@310mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 BSS138WT106 起订7个装
    ROHM Mosfet场效应管 BSS138WT106 起订7个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138WT106

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@30V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@310mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ 起订6个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ 起订6个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RHK003N06T146 起订18个装
    ROHM Mosfet场效应管 RHK003N06T146 起订18个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RHK003N06T146

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 2SK2463T100 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 2SK2463T100 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK2463T100

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L140SPTL1 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L140SPTL1 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L140SPTL1

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:84mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF 起订9个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF 起订9个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LXHF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH1,LQ 起订5000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH1,LQ 起订5000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ

    工作温度:150℃

    功率:800mW€170W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@30V

    连续漏极电流:136A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNFRATL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNFRATL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L150SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ015N06TR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ015N06TR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ015N06TR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSM002N06T2L 起订23个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSM002N06T2L 起订23个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSM002N06T2L

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J356R,LF 起订23个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J356R,LF 起订23个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J356R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ601-ZK-E1-AZ 起订1个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ601-ZK-E1-AZ 起订1个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€65W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订17个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订17个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH1,LQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH1,LQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ

    工作温度:150℃

    功率:800mW€170W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@30V

    连续漏极电流:136A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ035N06HZGTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ035N06HZGTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ035N06HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K7002CFU,LF 起订18个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K7002CFU,LF 起订18个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSD150N06TL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSD150N06TL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSD150N06TL

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K32HZGTB 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K32HZGTB 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8K32HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-DL-E 起订32个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-DL-E 起订32个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1583}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4066-DL-E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€90W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0655DPB-00#J5 起订1个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0655DPB-00#J5 起订1个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0655DPB-00#J5

    工作温度:150℃

    功率:60W

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F 起订13个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F 起订13个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEX 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEX 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN230ENEX

    工作温度:150℃

    功率:475mW€3.9W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:177pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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