品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R2-40YLDX
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:115W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4103pF@20V
阈值电压:2.05V@1mA
栅极电荷:57nC@10V
连续漏极电流:120A
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN1R5-30BLEJ
栅极电荷:228nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
输入电容:14934pF@15V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.5mΩ@25A,10V
连续漏极电流:120A
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
功率:401W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN3R4-30BLE,118
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:81nC@10V
功率:178W
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4682pF@15V
连续漏极电流:120A
阈值电压:2.15V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN4R8-100BSEJ
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
功率:405W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:14400pF@50V
栅极电荷:278nC@10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
生产批次:{"20+":3200}
规格型号(MPN):BUK661R8-30C,118
输入电容:10918pF@25V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:263W
栅极电荷:168nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.8V@1mA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN4R8-100BSEJ
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
功率:405W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:14400pF@50V
栅极电荷:278nC@10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
漏源电压:100V
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):BUK963R3-60E,118
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
输入电容:13490pF@25V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:293W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:95nC@5V
导通电阻:3mΩ@25A,10V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R9-100YSFX
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:111nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
功率:245W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
输入电容:7360pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y2R8-40HX
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN1R7-60BS,118
输入电容:9997pF@30V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:137nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
导通电阻:2mΩ@25A,10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R2-40YLDX
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:115W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4103pF@20V
阈值电压:2.05V@1mA
栅极电荷:57nC@10V
连续漏极电流:120A
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN1R1-40BS,118
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
输入电容:9710pF@20V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R9-100YSFX
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:111nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
功率:245W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
输入电容:7360pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN4R8-100BSEJ
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
功率:405W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:14400pF@50V
栅极电荷:278nC@10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y1R6-40HX
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):BUK765R0-100E,118
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:11810pF@25V
导通电阻:5mΩ@25A,10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
栅极电荷:180nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN3R4-30BLE,118
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:81nC@10V
功率:178W
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4682pF@15V
连续漏极电流:120A
阈值电压:2.15V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK962R8-60E,118
输入电容:15600pF@25V
功率:324W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:92nC@5V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@1mA
导通电阻:2.5mΩ@25A,10V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):BUK763R1-60E,118
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:293W
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
输入电容:8920pF@25V
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:114nC@10V
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):BUK763R1-60E,118
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:293W
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
输入电容:8920pF@25V
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:114nC@10V
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):BUK962R5-60E,118
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
栅极电荷:120nC@5V
类型:N沟道
输入电容:17450pF@25V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@1mA
导通电阻:2.5mΩ@25A,5V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":4540,"22+":5600,"MI+":800}
规格型号(MPN):BUK962R8-60E,118
输入电容:15600pF@25V
功率:324W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:92nC@5V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@1mA
导通电阻:2.5mΩ@25A,10V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7J1R4-40HX
功率:395W
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@25A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.6V@1mA
输入电容:8155pF@25V
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN1R7-60BS,118
输入电容:9997pF@30V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:137nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
导通电阻:2mΩ@25A,10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":4540,"22+":5600,"MI+":800}
规格型号(MPN):BUK962R8-60E,118
输入电容:15600pF@25V
功率:324W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:92nC@5V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@1mA
导通电阻:2.5mΩ@25A,10V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R2-40YLDX
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:115W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4103pF@20V
阈值电压:2.05V@1mA
栅极电荷:57nC@10V
连续漏极电流:120A
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y2R0-40HX
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:217W
类型:N沟道
栅极电荷:90.5nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2mΩ@25A,10V
阈值电压:3.6V@1mA
输入电容:5450pF@25V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN1R1-40BS,118
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
输入电容:9710pF@20V
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y2R8-40HX
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30BLEJ
工作温度:-55℃~175℃
功率:401W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:228nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14934pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: