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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0009TXDQS#H1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@0V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0009TXDQS#H1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@0V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYM002N05T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1J002YNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYM002N05T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYM002N05T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1J002YNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYM002N05T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1J002YNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1J002YNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYM002N05T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1J002YNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYM002N05T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYM002N05T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：0.2A
类型：N-Channel
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYM002N05T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：0.2A
类型：N-Channel
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：43160}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3484-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@2A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYE002N05TCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYE002N05TCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0009TXDQS#H1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@0V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYM002N05T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYM002N05T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYM002N05T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0009TXDQS#H1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@0V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1J002YNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1J002YNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1J002YNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1J002YNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYM002N05T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYM002N05T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1J002YNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
