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    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    工作温度: 150℃
    阈值电压: 5V@250µA
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N60ECP ROG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N60ECP ROG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4N60ECP ROG

    工作温度:150℃

    功率:86.2W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:545pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N60ECP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N60ECP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4N60ECP ROG

    工作温度:150℃

    功率:86.2W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:545pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N60ECP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N60ECP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4N60ECP ROG

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    工作温度:150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:12nC@10V

    功率:86.2W

    输入电容:545pF@25V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB28NM60ND
    ST Mosfet场效应管 STB28NM60ND

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB28NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:62.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@100V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:1000
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:109W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:24.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    ST Mosfet场效应管 STB12NM50ND
    ST Mosfet场效应管 STB12NM50ND

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB12NM50ND

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STH3N150-2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STH3N150-2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STH3N150-2

    工作温度:150℃

    功率:140W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:939pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9Ω@1.3A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STB45N65M5
    ST Mosfet场效应管 STB45N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB45N65M5

    工作温度:150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3375pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@19.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB57N65M5 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB57N65M5 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB57N65M5

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@100V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@21A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STL18N65M5
    ST Mosfet场效应管 STL18N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL18N65M5

    工作温度:150℃

    功率:57W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1240pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    ST Mosfet场效应管 STB38N65M5
    ST Mosfet场效应管 STB38N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB38N65M5

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STD18N65M5
    ST Mosfet场效应管 STD18N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD18N65M5

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1240pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    ST Mosfet场效应管 STL13N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STL13N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL13N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:52W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:370mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    ST Mosfet场效应管 STD18N55M5
    ST Mosfet场效应管 STD18N55M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD18N55M5

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@100V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@8A,10V

    漏源电压:550V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    ST Mosfet场效应管 STB11N65M5
    ST Mosfet场效应管 STB11N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB11N65M5

    工作温度:150℃

    功率:85W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:644pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL31N65M5
    ST Mosfet场效应管 STL31N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL31N65M5

    工作温度:150℃

    功率:2.8W€125W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1865pF@100V

    连续漏极电流:2.8A€15A

    类型:N沟道

    导通电阻:162mΩ@11A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    ST Mosfet场效应管 STB57N65M5
    ST Mosfet场效应管 STB57N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB57N65M5

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@100V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@21A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL19N65M5
    ST Mosfet场效应管 STL19N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL19N65M5

    工作温度:150℃

    功率:2.8W€90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1240pF@100V

    连续漏极电流:2.3A€12.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    ST Mosfet场效应管 STD18N65M5
    ST Mosfet场效应管 STD18N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD18N65M5

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1240pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STB42N65M5
    ST Mosfet场效应管 STB42N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB42N65M5

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4650pF@100V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    ST Mosfet场效应管 STL57N65M5
    ST Mosfet场效应管 STL57N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL57N65M5

    工作温度:150℃

    功率:2.8W€189W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@100V

    连续漏极电流:4.3A€22.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:69mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD15N65M5
    ST Mosfet场效应管 STD15N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD15N65M5

    工作温度:150℃

    功率:85W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:816pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    ST Mosfet场效应管 STD18N65M5
    ST Mosfet场效应管 STD18N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD18N65M5

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1240pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB42N65M5
    ST Mosfet场效应管 STB42N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB42N65M5

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4650pF@100V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD18N65M5
    ST Mosfet场效应管 STD18N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD18N65M5

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1240pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STD16N65M5
    ST Mosfet场效应管 STD16N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16N65M5

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STB42N65M5
    ST Mosfet场效应管 STB42N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB42N65M5

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4650pF@100V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:1000
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