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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13NM60ND
工作温度：150℃
功率：109W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50ND
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB13NM60N
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：816pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13NM60N
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13NM60ND
工作温度：150℃
功率：109W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13NM60ND
工作温度：150℃
功率：109W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13NM60N
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13NM60ND
工作温度：150℃
功率：109W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13NM60N
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1431-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W€15W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N-Channel
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI04076
工作温度：150℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2.5V@350µA
栅极电荷：24.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@23.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13NM60ND
工作温度：150℃
功率：109W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI04076
工作温度：150℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2.5V@350µA
栅极电荷：24.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@23.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI04076
工作温度：150℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2.5V@350µA
栅极电荷：24.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@23.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI04076
工作温度：150℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2.5V@350µA
栅极电荷：24.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@23.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
