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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130MNTB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130MNTB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130MNTB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130MNTB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130MNTB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E130GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E130GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E130GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E130GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6400ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@6.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E130GNTB
工作温度：150℃
功率：22.2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：N-Channel
导通电阻：11.7mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
