采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL13N60DM2
工作温度：150℃
功率：52W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：370mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL18N65M2
工作温度：150℃
功率：57W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：764pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：365mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD080N06TL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：28080}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK4006DPD-00#J2
工作温度：150℃
功率：65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@4A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：28080}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK4006DPD-00#J2
工作温度：150℃
功率：65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@4A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD080N25TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L080SNFRATL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@400µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：15.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD080N25TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD080N06TL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：15.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8A
类型：N-Channel
导通电阻：15.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8A
类型：N-Channel
导通电阻：15.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N-Channel
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N-Channel
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL16N60M2
工作温度：150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：704pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：355mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD080N06TL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD080N06TL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD080N25TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD080N06TL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD080N25TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：28080}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK4006DPD-00#J2
工作温度：150℃
功率：65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@4A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
