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    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 汽车
    类型: P沟道
    连续漏极电流: 16A
    当前匹配商品:500+
    商品信息
    参数
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    操作
    谷峰 Mosfet场效应管 GT700P08D3 起订8个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT700P08D3 起订8个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT700P08D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1591pF@40V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSD160P05TL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSD160P05TL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSD160P05TL

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@16A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7410TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:91nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8676pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@16A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415AENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7410TRPBF 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7410TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:91nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8676pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@16A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSD160P05TL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSD160P05TL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSD160P05TL

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@16A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSD160P05TL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSD160P05TL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSD160P05TL

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@16A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415CENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415CENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4825pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.1mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AEN-T1_BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AEN-T1_BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415AEN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS415ENW-T1_GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4825pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.1mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9317TRPBF 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9317TRPBF 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9317TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.4V@50µA

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2820pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.6mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS3G160ATTB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS3G160ATTB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS3G160ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6250pF@20V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415AENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS405EN-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS405EN-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS405EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:75nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCG16P03-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG16P03-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG16P03-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AEN-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AEN-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415AEN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSD160P05TL 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSD160P05TL 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSD160P05TL

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@16A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415CENW-T1_GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415CENW-T1_GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415CENW-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415CENW-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3H160SPFRATL 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3H160SPFRATL 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3H160SPFRATL

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@16A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8499DB-T2-E1 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8499DB-T2-E1 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS411ENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS411ENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS411ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3191pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:27.3mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AEN-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AEN-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415AEN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9317TRPBF 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9317TRPBF 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9317TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.4V@50µA

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2820pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.6mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RD3H160SPFRATL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3H160SPFRATL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3H160SPFRATL

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@16A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS405EN-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS405EN-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS405EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:75nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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