品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4185L
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4825pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:16.1mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4825pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:16.1mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4825pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:16.1mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4825pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:16.1mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4825pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:16.1mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4825pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:16.1mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS401EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1875pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS407ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4572pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:10.8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4185L
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4825pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:16.1mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS407ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4572pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:10.8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS407ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4572pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:10.8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4825pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:16.1mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS407ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4572pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:10.8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS407ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4572pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:10.8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4825pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:16.1mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS407ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4572pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:10.8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: