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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002-G
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5335K1-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：350V
输入电容：110pF@25V
类型：P沟道
连续漏极电流：85mA
ECCN：EAR99
导通电阻：30Ω@200mA，10V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135K1-G
连续漏极电流：72mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：120pF@25V
功率：360mW
导通电阻：35Ω@150mA，0V
类型：N沟道
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335K1-G
输入电容：110pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
连续漏极电流：110mA
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：360mW
连续漏极电流：160mA
阈值电压：2V@1mA
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
ECCN：EAR99
导通电阻：6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：60V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
ECCN：EAR99
阈值电压：2.4V@1mA
导通电阻：10Ω@200mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2110K1-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135K1-G
连续漏极电流：72mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：120pF@25V
功率：360mW
导通电阻：35Ω@150mA，0V
类型：N沟道
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：60V
连续漏极电流：120mA
阈值电压：2.4V@1mA
导通电阻：10Ω@200mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2124K1-G
漏源电压：240V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
导通电阻：15Ω@120mA，4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：134mA
阈值电压：2V@1mA
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2110K1-G
导通电阻：12Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：100V
阈值电压：3.5V@1mA
连续漏极电流：120mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND01K1-G
工作温度：-25℃~125℃
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
功率：360mW
类型：N沟道
ECCN：EAR99
连续漏极电流：330mA
输入电容：46pF@5V
漏源电压：9V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：60V
连续漏极电流：120mA
阈值电压：2.4V@1mA
导通电阻：10Ω@200mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135K1-G
连续漏极电流：72mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：120pF@25V
功率：360mW
导通电阻：35Ω@150mA，0V
类型：N沟道
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2130K1-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
类型：N沟道
输入电容：50pF@25V
导通电阻：25Ω@120mA，4.5V
连续漏极电流：85mA
ECCN：EAR99
漏源电压：300V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5335K1-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：350V
输入电容：110pF@25V
类型：P沟道
连续漏极电流：85mA
ECCN：EAR99
导通电阻：30Ω@200mA，10V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5322K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：72mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：13mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND01K1-G
工作温度：-25℃~125℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2110K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2130K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：85mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，4.5V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：110mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2110K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：72mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2124K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：134mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@120mA，4.5V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
