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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4937EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：48mΩ@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ951EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9948
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：394pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：250mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3989EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.67W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@400mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4937EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：48mΩ@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3989EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.67W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@400mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4937EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3987EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：133mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3987EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：133mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ951EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4949EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：35mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4961EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ951EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4917EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1910pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SSD-13
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@30V
连续漏极电流：5.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：48mΩ@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SSDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@30V
连续漏极电流：5.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：48mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9948
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：394pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：250mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4917EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1910pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ951EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：48mΩ@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4917EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1910pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3985EV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4917EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1910pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SSD-13
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@30V
连续漏极电流：5.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：48mΩ@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
