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    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 100V
    栅极电荷: 35nC@10V
    当前匹配商品:100+
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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:3.5V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19533Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€96W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ150N10LS3GATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ150N10LS3GATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ150N10LS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€63W

    阈值电压:2.1V@33µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5AT
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19533Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€96W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:3.5V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AOD66923
    AOS Mosfet场效应管 AOD66923

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€73W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:16.5A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:3.5V@45µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ150N10LS3GATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ150N10LS3GATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ150N10LS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€63W

    阈值电压:2.1V@33µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5A 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5A 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19533Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€96W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:3.5V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:3.5V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86110
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86110

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86110

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€127W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2265pF@50V

    连续漏极电流:12.5A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5AT
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19533Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€96W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:3.5V@45µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:3.5V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:3.5V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AOD66923
    AOS Mosfet场效应管 AOD66923

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€73W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:16.5A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AONS66923 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AONS66923 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:15A€47A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ150N10LS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ150N10LS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":48440,"24+":5510}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ150N10LS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€63W

    阈值电压:2.1V@33µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ150N10LS3GATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ150N10LS3GATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ150N10LS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€63W

    阈值电压:2.1V@33µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ150N10LS3GATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ150N10LS3GATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ150N10LS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€63W

    阈值电压:2.1V@33µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19533Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€96W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AOD66923
    AOS Mosfet场效应管 AOD66923

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€73W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:16.5A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AOD66923
    AOS Mosfet场效应管 AOD66923

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:21+

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€73W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:16.5A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ150N10LS3GATMA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ150N10LS3GATMA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ150N10LS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€63W

    阈值电压:2.1V@33µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ150N10LS3GATMA1 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ150N10LS3GATMA1 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ150N10LS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€63W

    阈值电压:2.1V@33µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    加购:5
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