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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD100N20TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P60Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ(S
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD100N20TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD100N20TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD100N20TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD080N25TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ(S
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ(S
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P60Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD080N25TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ(S
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P60Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P60Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ(S
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P60Y，RQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4V@450µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK210V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD080N25TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4V@610µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@300V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
