品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":81000,"15+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8656-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS7NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS7NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1C075UNTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS7NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS7NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1C075UNTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS7NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1C075UNTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":81000,"15+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8656-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS7NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1C075UNTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1C075UNTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1C075UNTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS7NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS7NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8656-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:10.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8656-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:10.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1C075UNTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1C075UNTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1C075UNTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1C075UNTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS7NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: