采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
连续漏极电流：34A
输入电容：3000pF@40V
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
功率：1.6W€61W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：28nC@10V
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：34A
漏源电压：60V
输入电容：1680pF@25V
导通电阻：23mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：28nC@10V
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：34A
漏源电压：60V
输入电容：1680pF@25V
导通电阻：23mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N60M2-EP
阈值电压：4.75V@250µA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：87mΩ@17A，10V
工作温度：150℃
功率：250W
输入电容：2370pF@100V
类型：N沟道
连续漏极电流：34A
栅极电荷：55nC@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
