采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ700N20TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：42.7mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ700N20TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：42.7mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ700N20TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：42.7mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ700N20TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：42.7mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ700N20TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：42.7mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ700N20TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：42.7mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ700N20TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：42.7mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ700N20TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：42.7mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ700N20TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：42.7mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ700N20TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：42.7mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ700N20TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：42.7mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ700N20TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：42.7mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
